国内首款自主研发用于磁共振成像线圈前置放大器发布！！
国内首款自主研发用于磁共振成像线圈前置放大器发布
2024年1月，我司推出了国内首款用于MRI的超低噪声放大器，型号为SP1333B1AC，已于2024年5月通过了业内头部客户的系统验证。
该产品为国内首款具有自主知识产权的用于核磁共振线圈成像的前置放大器芯片，未来将会助力医疗行业的国产化发展。
SP1333B1AC作为国内首款自主可控研发的用于磁共振成像线圈前置放大器芯片，该芯片主要特点为高集成度、超低噪声、低输入阻抗以及高增益，适用于1.5T和3.0T应用系统。
该放大器的工作频率范围为30MHz-300MHz，可支持2.5-5V供电电压，在无磁干扰3V供电的条件下，1.5T的噪声系数为0.25dB，输入阻抗为1.1ohm，增益27dB，P1dB为15dBm，3.0T的噪声系数为0.29dB，输入阻抗为1.3ohm，增益26.5dB，P1dB为15dBm。
SP1333B1AC相比国外几家大型的射频企业研发的MRI低噪声放大器，在集成度和射频性能上均有很大的突破，对医疗行业的国产化发展有较大的助力。
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工作频段：30 - 300MHz
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噪声系数：0.3 dB
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增益：27 dB
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输入阻抗：1.2 ohm
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输出阻抗：50Ω
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P1dB： 15dBm
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供电：3V/33mA
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1.5T | 3.0T | % | 封装尺寸 |
| C1~C5 | 10nF | 10nF |
10 |
0402 |
| C6 | 1uF | 1uF | 10 | 1206 |
| CT | 8-40pF | 5-30pF | - | 3mm |
| L1 | 150nH | 68nH | 2 | 1812 |
| L2,L3 | 1uH | 1uH | 5 | 1008 |
| R_bias | 1370 Ω | 1370 Ω | 1 | 0402 |
